Конденсатор. Обкладка в вакууме и диэлектрике.

Обкладка в вакууме

Весь материал металлической обкладки в вакууме плотно окружен эфиром. Все свободные участки присасывающих желобов и образованные ими каналы плотно заполнены электронами. В этом случае электроны оказывают друг на друга минимально возможное давление, обкладка конденсатора имеет минимально возможный электрический потенциал.

Интенсивность теплового фона атомов внутри металла распределена равномерно и не оказывает на свободные электроны, попадающие в толщу металла удерживающего эффекта. Любой электрон попавший в толщу металла (вне присасывающих желобов) будет вынесен потоками эфира к её границам.

На границе поверхности металла интенсивность теплового фона претерпевает изменение от более интенсивного фона атомов металла до менее интенсивного (в нормальных условиях) фона относительно «холодного»1 эфира. «Холодный» эфир у границы поверхности металла имеет наибольшую плотность и оказывает наибольшее давление на свободные электроны, чем более «тёплый» эфир, окружающий элементы самой поверхности металла. Таким образом, создаётся градиент давления эфира у поверхности металла, который и способствует удержанию свободных электронов. Толщина слоя у поверхности металлической обкладки, в котором сказывается удерживающее действие градиента давления эфира и определяет то количество свободных электронов, которое может быть дополнительно размещено на поверхности обкладки. Попытка разместить на поверхности обкладки количество электронов сверх максимально возможного приведёт к утечке электронов за пределами действия градиента давления эфира, которое может выразиться в коронном или даже искровом разряде.

Любое увеличение количества электронов на поверхности обкладки вызывает смещение электронного облака в сторону более плотного эфира, т.е. взаимодействие электронов с эфиром наибольшего давления, что приводит к некоторому сжатию электронного газа – увеличению электрического потенциала обкладки и всех контактирующих с ней металлических (токопроводящих) частей.

Пространство действия градиента давления эфира очень мало, максимально приближено к поверхности металла, поэтому такой конденсатор может принять ничтожно малое количество свободных электронов, предположительно в один слой на поверхности, способное в значительной степени увеличить электрический потенциал обкладки.

 

Обкладка в диэлектрике

Диэлектрик, как и металл имеет определённый тепловой фон своих атомов, отличный по интенсивности от более «холодного» эфира, и (возможно) от более или менее тёплого металла.

Контакт поверхности диэлектрика с поверхностью проводника позволяет сместить границу градиента давления эфира вплоть до границ диэлектрика. При этом между поверхностью металла и диэлектриком можно разместить несколько большее число электронов, чем на поверхности обкладки в вакууме.

При сообщении обкладке дополнительных свободных электронов они сначала заполнят все свободные ниши-поры контактирующей поверхности диэлектрика, а потом несколько уплотнившись, будут механически смещать диэлектрик до тех пор, пока механическое сопротивление диэлектрика не компенсирует разницу давлений эфира в диэлектрике и эфира окружающего пространства.

При заряде обкладки конденсатора в диэлектрике ей можно сообщить большее количество дополнительных свободных электронов по сравнению с такой же обкладкой в вакууме, которому соответствует одна величина электрического потенциала. Т.е. конденсатор с обкладкой в диэлектрике обладает сравнительно большей электрической ёмкостью, чем конденсатор с обкладкой в вакууме.

----------------------

1. Здесь и в данной работе в целом термины «тёплый» и «холодный» характеризуют эфир с относительно повышенной и пониженной соответственно энергией теплового фона.

В начало                Назад        ОБСУДИТЬ        Далее                Пропустить тему